纸质出版:1986
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中科院上海冶金所研制的P—InP单晶通过院级技术鉴定[J]. 传感器与微系统, 1986,(1):78.
中科院上海冶金所研制的P—InP单晶通过院级技术鉴定[J]. 传感器与微系统, 1986,(1):78. DOI: 10.13873/j.1000-97871986.01.018.
DOI:
中科院上海治金所研制成功P—InP单晶
并于1985年10月通过院级技术鉴定。InP单晶是光纤通信用光电器件和集成光学器件的重要衬底材料。早在1980年和1981年该所分别研制成功无孪生InP单晶
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