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中国科学院上海冶金研究所研制成功GaAs霍耳磁敏元件并通过鉴定
更新时间：2025-09-11

    • 中国科学院上海冶金研究所研制成功GaAs霍耳磁敏元件并通过鉴定

    • 暂无标题

    • 传感器与微系统   1986年第1期 页码：76-78

    • DOI：10.13873/j.1000-97871986.01.017    

      中图分类号：

    • 纸质出版：1986

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  • 中国科学院上海冶金研究所研制成功GaAs霍耳磁敏元件并通过鉴定[J]. 传感器与微系统, 1986,(1):76-78. DOI： 10.13873/j.1000-97871986.01.017.

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