纸质出版:1984
移动端阅览
氢敏钯栅MOSFET的设计理论与性能分析[J]. 传感器与微系统, 1984,(S1):86-93.
氢敏钯栅MOSFET的设计理论与性能分析[J]. 传感器与微系统, 1984,(S1):86-93. DOI: 10.13873/j.1000-97871984.s1.016.
DOI:
一、前言 半导体器件对周围环境具有高度灵敏性
过去大多数工作致力于降低这种敏感性以提高半导体器件的可靠性。近些年来
也开始研究利用这种敏感性。其中一个重要成果是用钯作栅金属的N沟金属——氧化物——半导体场效应晶体管(以下简称Pd—MOSFET)。这种晶体管的开启电压随器件周围气氛中氢气的浓度而变化
可以用来检测气体中的氢气含量。这种检测方法具有灵敏度高、快速、定量、选择
0
浏览量
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构