本文论述用化学腐蚀方法制作扩散硅电阻应变计。工艺中采用HNO

3

—HF—H

2

O作腐蚀剂

根据扩散控制的流体力学要求建立一种实验装置。在腐蚀过程中

气泡撞击硅片表面

保证被腐蚀表面有新鲜的腐蚀液连续供应和生成物的不断清除

快速而均匀地蚀薄硅片

并且在达到需要厚度之前

不需取出芯片观察。用此方法

成功地分离和蚀薄出扩散硅电阻应变计

表面成镜面平整光亮

厚度均匀可控

是一种批量生产扩散硅电阻应变计的好方法。