本文揭示了ZnO压敏电阻器与银电极接触的表面性质（接触势垒）与体内性质（界面势垒）不一致;前者的非线性系数比后者要差。 在高压ZnO压敏电阻器中

适当地增加单个压敏电阻片的厚度

减少串联电极接触势垒数

可有效地改善残压特性。适当地增加电阻片的电极厚度

无论对于改善大电流的分布和电极接触势垒的散热条件都是必要的。ZnO压敏电阻片（下称电阻片）的非线性特性

产生于晶界层的两侧与ZnO晶粒交界面势垒上

这就是所谓分离的双肖特基势垒模型。这个模型描绘了由热激活（肖特基）电流和隧道（击穿）电流分阶段作用的综合导电过程。