纸质出版:1983
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文摘[J]. 传感器与微系统, 1983,(Z1):92-96.
文摘[J]. 传感器与微系统, 1983,(Z1):92-96. DOI: 10.13873/j.1000-97871983.z1.014.
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本文介绍了采用硅集成电路技术研制成的能批量生产的固体电容式压力传感器。该传感器的动态压力范围为350mmHg
压力灵敏度约为1100ppm/mmHg
零位压力补偿温度系数约为+50ppm/℃
压力灵敏度温度系数为-20~+50C
温度间距约为+275ppm/℃。传感器采用的是开口腔或真空密封参考腔。这些温度系数基本上都比以前报导的单块装置的温度系数低。这样低的温度系数在许多应用中可以节省昂贵的温度调试系统。
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