研究分析了批量生产的压力敏感元件薄硅膜的形成。就其腐蚀速率及生成的表面光洁度

比较了几种各项异性硅腐蚀剂。发现氢氧化钾和乙二胺邻苯二酚组合液最适用于敏感元件的要求。V形槽技术和硼中止腐蚀技术都能够把薄膜控制到1微米或更小范围内

最后磨抛成的硅片的锥度是离散性的主要根源。用有限差分数字求解法

分析研究了几种不同工艺过程所形成的薄膜的不规则性对压阻式和电容式结构的压力灵敏度的影响。这些结构中

薄膜厚度是影响压力灵敏度最主要的参数。与此同时

压阻式和电容式器件中

电阻和薄膜的对准及电容板间的间隙分别是第二个重要参数。