聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究

廖荣; 李蓓; 张振杰; 李宇威

doi:10.13873/j.1000-9787(2017)09-0032-02

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聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究
- Research on PI MOSFET humidity sensor
- 传感器与微系统 2017年36卷第9期页码：32-33+37
- 作者机构：
  
  华南理工大学电子与信息学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  2015中央高校基本科研业务费本科生自主选题项目（10561201511）;华南理工大学第一批“探索性实验”教学项目（X2d X-Y1140610）
- DOI：10.13873/j.1000-9787(2017)09-0032-02
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2017
- 稿件说明：
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[1]廖荣,李蓓,张振杰,李宇威.聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究[J].传感器与微系统,2017,36(09):32-33+37.

LIAO Rong, LI Bei, ZHANG Zhen-jie, et al. Research on PI MOSFET humidity sensor[J]. 2017, 36(9): 32-33+37.
[1]廖荣,李蓓,张振杰,李宇威.聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究[J].传感器与微系统,2017,36(09):32-33+37. DOI： 10.13873/j.1000-9787(2017)09-0032-02.

LIAO Rong, LI Bei, ZHANG Zhen-jie, et al. Research on PI MOSFET humidity sensor[J]. 2017, 36(9): 32-33+37. DOI： 10.13873/j.1000-9787(2017)09-0032-02.

摘要

将聚酰亚胺（PI）薄膜制作在金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的栅极上

当环境湿度发生变化时

将引起PI吸湿量的变化

电容量改变

据此可制成湿度传感器件

测试结果显示:该湿度传感器具有明显的湿度敏感特性。

Abstract

Polyimide（ PI） film is produced on the grid electrode of metal oxide semiconductor field effect transistor（ MOSFET）

when humidity changes

it will cause the change of PI moisture content

that is

the capacitance change

accordingly humidity sensors can be manufactured

the test results show the humidity sensor has obvious characteristics of humidity sensitive.

关键词

Keywords

references

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