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三层硅加速度敏感芯片BCB键合工艺研究
研究与探讨 | 更新时间:2025-09-11
    • 三层硅加速度敏感芯片BCB键合工艺研究

    • Research on BCB bonding process of acceleration sensitive chip made of three-layer Si wafer

    • 传感器与微系统   2015年34卷第3期 页码:37-39+43
    • DOI:10.13873/j.1000-9787(2015)03-0037-03    

      中图分类号: TN405
    • 纸质出版:2015

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  • [1]刘智辉,田雷,李玉玲,尹延昭.三层硅加速度敏感芯片BCB键合工艺研究[J].传感器与微系统,2015,34(03):37-39+43. DOI: 10.13873/j.1000-9787(2015)03-0037-03.

    LIU Zhi-hui, TIAN Lei, LI Yu-ling, et al. Research on BCB bonding process of acceleration sensitive chip made of three-layer Si wafer[J]. 2015, 34(3): 37-39+43. DOI: 10.13873/j.1000-9787(2015)03-0037-03.

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