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郑华雄, 李鸿鑫, 吕阳, 等. 三相四线漏电流传感器性能优化研究[J]. 传感器与微系统, 2025,(9):63-67.
郑华雄, 李鸿鑫, 吕阳, 等. 三相四线漏电流传感器性能优化研究[J]. 传感器与微系统, 2025,(9):63-67. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2025)09-0063-05.
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基于闭环磁通门原理,开展不同条件下的传感器磁路仿真,探究了磁芯气隙大小和母排布局对气隙口磁场强度的影响。结果表明:当气隙在0.4~1.2 mm范围内时,随着气隙的减小,气隙口的磁感应强度与零点的偏差逐渐减小;此外,通过合理调整四根母排的相对位置,模拟仿真出气隙处磁感应强度最接近零时的母排布局方案。最终,根据气隙和母排位置仿真结果,形成三相四线漏电流传感器较优方案,并通过试验完成产品验证。
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