1. 西南科技大学信息工程学院
2. 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
纸质出版:2025
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朱春龙, 阮彬, 黄钦文, 等. 材料释气对MEMS真空封装腔内压强影响的研究[J]. 传感器与微系统, 2025,(7):32-36.
朱春龙, 阮彬, 黄钦文, 等. 材料释气对MEMS真空封装腔内压强影响的研究[J]. 传感器与微系统, 2025,(7):32-36. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2025)07-0032-05.
真空封装技术对MEMS的制备至关重要。由于其内部腔体较小,使得该腔内压强的测量成为了业界公认的难题。因此,本文根据扩散理论建立了简化的真空腔封装结构的材料释气模型,并且提出了通过测量MEMS的品质因子间接表征出腔内的气压变化的方法。从以下3个方面验证了提出方法的有效性和准确性。首先,建立MEMS真空腔内材料释气的理论推导;然后,分别采用硅和铜作为MEMS的封装材料,在不同初始封装气压和温度下,获取仅氢气的扩散解吸对腔体内部压强的仿真值;最后,搭建了真空封装MEMS陀螺仪真空度加速退化实验平台,并将实验值并与仿真值进行对比。对比结果表明,本文提出的MEMS内部腔内的气压退化表征方法具有较强的工程应用价值。
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