快速上电响应的硅压阻式压力传感器温漂补偿

周聪; 闫晋平; 郭建成; 游雨霖; 杨振川; 高成臣

doi:10.13873/J.1000-9787(2025)04-0128-04

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快速上电响应的硅压阻式压力传感器温漂补偿

计算与测试 | 更新时间：2025-09-11

- 快速上电响应的硅压阻式压力传感器温漂补偿
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2025年第4期页码：128-131+136
- 作者机构：
  
  1. 北京大学集成电路学院
  2. 太原市太航压力测试科技有限公司
  3. 北京大学软件与微电子学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点研发计划资助项目(2022YFB3207000)
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2025)04-0128-04
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2025
- 稿件说明：
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周聪, 闫晋平, 郭建成, 等. 快速上电响应的硅压阻式压力传感器温漂补偿[J]. 传感器与微系统, 2025,(4):128-131+136.
周聪, 闫晋平, 郭建成, 等. 快速上电响应的硅压阻式压力传感器温漂补偿[J]. 传感器与微系统, 2025,(4):128-131+136. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2025)04-0128-04.

DOI：

摘要

温度变化使得硅压阻式压力传感器产生零点漂移和灵敏度漂移，该漂移误差是硅压阻式压力传感误差的主要来源，也导致压阻式压力传感器上电后短时间出现上电热漂移现象，需要一定的预热时间。本文改进了实验测试平台的温控系统，提出了上电热漂移补偿算法，设计了一种具有快速上电响应能力的压阻式压力传感器，能够实现自动化的温度补偿。经测试，温度补偿后，压力传感器的示值误差在0～40℃的温度范围优于0.02%FS。找出了影响上电热漂移的关键因素，对上电后8～60 s满量程输出进行上电热漂补，将上电热漂移由0.012%FS减小到了0.001 6%FS

提高了上电快速响应能力。

Abstract

关键词

Keywords

references

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