高精度MEMS差压传感器芯片的研究

杜成权; 艾军; 许明洋; 魏壮壮; 陈宇昕

doi:10.13873/J.1000-9787(2024)12-0028-04

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高精度MEMS差压传感器芯片的研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 高精度MEMS差压传感器芯片的研究
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- 传感器与微系统 2024年第12期页码：28-31
- 作者机构：
- 作者简介：
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  重庆市技术创新与应用发展专项重点项目(定向委托)(cstc2020jscx-dxwtBX0047)
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2024)12-0028-04
  中图分类号： TN40;TP212
- 纸质出版：2024
- 稿件说明：
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杜成权, 艾军, 许明洋, 等. 高精度MEMS差压传感器芯片的研究[J]. 传感器与微系统, 2024,(12):28-31.
杜成权, 艾军, 许明洋, 等. 高精度MEMS差压传感器芯片的研究[J]. 传感器与微系统, 2024,(12):28-31. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2024)12-0028-04.

DOI：

摘要

为应对市场对高精度MEMS差压传感器的需求，开展了压力传感器芯片关键技术研究。设计了一种压阻式差压传感器芯片，解决了硅—硅室温键合技术难题，开发了自主可控、稳定可靠、适合批量生产的工艺。采用体微机械加工技术和硅—硅键合技术制备了压力芯片晶圆，形成了满足实际应用需求的高精度差压MEMS压力传感器芯片。本文制备的压阻式差压传感器芯片压力测量范围覆盖0～14 MPa

线性误差(>10 kPa)<0.3%FS

温度滞后性<±0.05%FS

压力滞后性<0.05%FS

工作温度-40～+85℃

过载能力≥2倍FS

为压阻式压力芯片的设计与制作提供了一种可行的参考方案。

Abstract

关键词

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references

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