不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究

田媛; 刘叶锋; 陈晓冰; 王忠东; 闫晓密

doi:10.13873/J.1000-9787(2024)10-0038-04

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不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2024年第10期页码：38-41
- 作者机构：
  
  1. 广西科技师范学院数学与计算机科学学院
  2. 普瑞(无锡)研发有限公司
  3. 上海科技大学量子器件中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  广西创新驱动发展专项项目(桂科AA21077018-2)
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2024)10-0038-04
  中图分类号： TN312.8
- 纸质出版：2024
- 稿件说明：
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田媛, 刘叶锋, 陈晓冰, 等. 不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究[J]. 传感器与微系统, 2024,(10):38-41.
田媛, 刘叶锋, 陈晓冰, 等. 不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究[J]. 传感器与微系统, 2024,(10):38-41. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2024)10-0038-04.

DOI：

摘要

发光二极管（LED）由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点，被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率，在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层（CBL）的氮化镓（GaN）基LED

并研究其光电特性。结果表明，在120 mA测试电流作用下，由于CBL的插入增大了有源层有效光发射区域的电流密度，减少了p电极（p-pad）下的寄生光吸收，LED芯片的辐射功率与光电转换效率随着CBL线宽的增加而单调增加，在CBL线宽设计为13μm时，辐射功率与光电转换效率达到最大；正向电压（V

）随着CBL线宽的增加略有增加，表明绝缘的CBL层增大串联电阻。本文为CBL线宽的选择提供了新思路，可有效提高LED的发光效率。

Abstract

关键词

Keywords

references

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