重庆光电技术研究所
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刘海军, 张靖, 申志辉, 等. 日盲型AlGaN紫外阵列探测器研制[J]. 传感器与微系统, 2024,(4):72-74.
刘海军, 张靖, 申志辉, 等. 日盲型AlGaN紫外阵列探测器研制[J]. 传感器与微系统, 2024,(4):72-74. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2024)04-0072-03.
针对日盲紫外波段光信号的探测,研制了1 280×1 024/15μm×15μm AlGaN阵列型紫外探测器。像元采用共用N面电极的PIN台面结构,介绍了器件的结构、材料生长和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。结果表明:器件的正向开启电压大于10 V
反向击穿电压大于90 V; 0.5 V偏压时单像元暗电流约为0.1 fA
1 V偏压时光谱响应范围为255~282 nm
270 nm峰值波长响应度约为0.12 A/W。器件实现了日盲紫外成像演示。
Xiaojing Li,Degang Zhao,Desheng Jiang,Zongshun Liu,Ping Chen,Lingcong Le,Jing Yang,Xiaoguang He,Shuming Zhang,Jianjun Zhu,Hui Wang,Baoshun Zhang,Jianping Liu,Hui Yang.Performance comparison of front- and back-illuminated modes of the AlGaN-based p-i-n solar-blind ultraviolet photodetectors[J].Journal of Vacuum Science & Technology B,2014.
E. Cicek,R. McClintock,Z. Vashaei,Y. Zhang,S. Gautier,C. Y. Cho,M. Razeghi.Crack-free AlGaN for solar-blind focal plane arrays through reduced area epitaxy[J].Applied physics letters,2013.
Cicek Erdem,Vashaei Zahra,Huang Edward Kwei-wei,McClintock Ryan,Razeghi Manijeh.Al(x)Ga(1-x)N-based deep-ultraviolet 320×256 focal plane array.[J].Optics letters,2012.
P. Lamarre,A. Hairston,S.P. Tobin,K.K. Wong,A.K. Sood,M.B. Reine,M. Pophristic,R. Birkham,I.T. Ferguson,R. Singh,C.R. Eddy,U. Chowdhury,M.M. Wong,R.D. Dupuis,P. Kozodoy,E.J. Tarsa.AlGaN UV Focal Plane Arrays[J].physica status solidi (a),2001.
梁军生,杨金鹤,张小辉,胡亚明,王大志.聚酰亚胺薄膜旋涂工艺及其抗电击穿性能[J].传感器与微系统,2019(04).
赵文伯,周勋,李艳炯,申志辉,罗木昌.背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计[J].红外与激光工程,2013(12).
黄鑫,罗木昌,周勋.背照式AlGaN/GaN基光电探测器的结构设计及性能模拟[J].红外与激光工程,2011(11).
吴跃波.氩氧比对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制[J].传感器与微系统,2009(12).
黄烈云,吴琼瑶,赵文伯,叶嗣荣,向勇军,刘小芹,黄绍春.日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制[J].半导体光电,2007(03).
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