MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究

谭皓宇; 刘国昌; 张文栋; 张国军; 杨玉华; 王任鑫

doi:10.13873/J.1000-9787(2024)04-0033-04

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MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2024年第4期页码：33-36
- 作者机构：
  
  中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(U23A20362,52275578);山西省基础研究计划资助项目(20210302123027,202103021224203);山西省“1331工程”重点学科建设计划资助项目(1331KSC)
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2024)04-0033-04
  中图分类号： TB565.1;TH-39;TN432
- 纸质出版：2024
- 稿件说明：
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谭皓宇, 刘国昌, 张文栋, 等. MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究[J]. 传感器与微系统, 2024,(4):33-36.
谭皓宇, 刘国昌, 张文栋, 等. MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究[J]. 传感器与微系统, 2024,(4):33-36. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2024)04-0033-04.

DOI：

摘要

纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息，与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案，该方案在MEMS后处理工艺中，利用侧墙保护和各向异性湿法腐蚀从正面释放水听器的十字梁敏感结构。整个后处理过程不需要光刻，降低加工难度的同时，保证了加工结构的精确性。设计出了一种验证性的工艺流程，具体分析了4种不同结构的湿法腐蚀过程。最终完成了这4种结构的工艺流片，对实验结果进行了分析。实验验证了该方案的可行性，为纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成奠定了基础。

Abstract

关键词

Keywords

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