梳齿结构深刻蚀工艺改进

杜广森; 张富强; 徐锡金

doi:10.13873/J.1000-9787(2024)02-0049-03

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

梳齿结构深刻蚀工艺改进

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 梳齿结构深刻蚀工艺改进
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2024年第2期页码：49-51+56
- 作者机构：
  
  1. 济南大学物理学院
  2. 山东产业技术研究院微纳与智能制造研究院
  3. 北京信息科技大学理学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2024)02-0049-03
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2024
- 稿件说明：
移动端阅览
杜广森, 张富强, 徐锡金. 梳齿结构深刻蚀工艺改进[J]. 传感器与微系统, 2024,(2):49-51+56.
杜广森, 张富强, 徐锡金. 梳齿结构深刻蚀工艺改进[J]. 传感器与微系统, 2024,(2):49-51+56. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2024)02-0049-03.

DOI：

摘要

梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求，需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等。采用感应耦合等离子体（ICP）深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究。影响深硅刻蚀的主要因素包括SF

和C

气体流量、腔室压力、刻蚀与钝化保护时间、下基板功率等工艺参数，着重研究了片间均匀性、垂直度、粗糙度等影响结构性能的几个方面，得到了宽4.5μm、深70μm的梳齿结构，垂直度为89.7°

侧壁粗糙度46 nm

均匀性1.2%的优化工艺，为高精度MEMS梳齿型传感器的制作提供了基础。

Abstract

关键词

Keywords

references

关一浩.高温差双端对称式MEMS热电堆红外探测器[D].中北大学,2022(01).

唐兴刚,龙善丽,童紫平,吴传奇,贺克军.基于电容检测的高精度大量程MEMS加速度计设计[J].传感器与微系统,2023(03).

任子明,白冰,王任鑫,张国军.基于梳齿式电容加速度计的深硅刻蚀[J].微纳电子技术,2017(09).

李晶,樊尚春,李成,余朝发.谐振式硅微机械加速度计研究进展[J].传感器与微系统,2011(12).

陆敬予,张飞虎,张勇.微机电系统的现状与展望[J].传感器与微系统,2008(02).

Hayden K. Taylor,Hongwei Sun,Tyrone F. Hill,Ali Farahanchi,Duane S. Boning.Characterizing and Predicting Spatial Nonuniformity in the Deep Reactive Ion Etching of Silicon[J].Journal of The Electrochemical Society,2006.

漆晶.声表面波气敏传感器系统关键技术及应用研究[D].重庆大学,2017(06).

浏览量

150

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据