霍尔传感器由于自身的高失调电压和低磁场灵敏度限制了应用,基于SMIC 180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种阈值可调三维霍尔开关型传感器。在霍尔传感器的信号处理电路中,使用四相旋转电流法和相关双采样保持技术对霍尔器件的失调电压进行消除;设计了一种阈值可调电路,实现多种情况的应用;通过失调消除电路的处理,降低了失调。传感器的工作电压为3.3 V
工作电流为7 mA
信号处理电路对微弱的霍尔信号实现了放大,最终输出表示开关状态的数字信号。
Abstract
关键词
Keywords
references
基于霍尔电流传感器的读出电路设计[J]. 刘章旺;魏榕山.传感器与微系统,2019(05)
一种高灵敏度的开关型CMOS霍尔磁场传感器[J]. 阮伟华.传感器与微系统,2010(11)
电动汽车用霍尔电流传感器的设计[D]. 董耀文.南京航空航天大学,2019(02)
磁导航传感器的设计与实验研究[D]. 王惠.南京航空航天大学,2018(02)
Sensitivity Enhancement of a Vertical-Type CMOS Hall Device for a Magnetic Sensor[J]. Oh Sein;Jang Byung Jun;Chae Hyungil.JOURNAL OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE,2018
Multipath Wide-Bandwidth CMOS Magnetic Sensors[J]. Jiang Junfeng;Makinwa Kofi A. A..IEEE Journal of Solid-State Circuits,2017
An improved compact model of the electrical behaviour of the 5-contact vertical Hall-effect device[J]. Morgan Madec;Jean-Baptiste Schell;Jean-Baptiste Kammerer;Christophe Lallement;Luc Hébrard.Analog Integrated Circuits and Signal Processing,2014
Piezoresistive Response of Vertical Hall Devices[J]. Timo Kaufmann;Daniel Kopp;Fabian Purkl;Marc Baumann;Patrick Ruther;Oliver Paul.IEEE sensors journal,2011