碳化硅(SiC)作为第三代半导体，具有宽禁带、高临界场强、高热导率、耐高温、耐腐蚀等优良性能，然而，良好的欧姆接触是制造SiC器件必不可少的条件。目前，关于SiC欧姆接触的研究还不成熟，报道较多的是金属材料镍(Ni)

但有待更加深入的研究。本文选用金属Ni作为SiC的欧姆接触材料，通过磁控溅射工艺在SiC表面沉积不同厚度的Ni膜，并将样品在1 000℃的真空环境下退火2 min

研究了不同膜厚时的微观形貌和欧姆接触特性的变化。