TMR磁传感器磁通调制结构温度稳定性研究

张君盛; 潘孟春; 胡佳飞; 杜青法; 孙琨; 张欣苗

doi:10.13873/J.1000-9787(2022)12-0022-04

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TMR磁传感器磁通调制结构温度稳定性研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- TMR磁传感器磁通调制结构温度稳定性研究
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2022年第12期页码：22-25
- 作者机构：
  
  国防科技大学智能科学学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)12-0022-04
  中图分类号： TP212.13
- 纸质出版：2022
- 稿件说明：
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张君盛, 潘孟春, 胡佳飞, 等. TMR磁传感器磁通调制结构温度稳定性研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(12):22-25.
张君盛, 潘孟春, 胡佳飞, 等. TMR磁传感器磁通调制结构温度稳定性研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(12):22-25. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)12-0022-04.

DOI：

摘要

隧道磁电阻(TMR)磁传感器在生物磁场、目标探测、地磁导航、无损检测等领域均有极大的发展潜力，但1/f噪声极大限制了其低频磁场探测能力。基于压电谐振的磁通调制结构能够将1/f噪声降低近2个量级，但其调制效率受温度影响明显。为提高调制结构的温度稳定性，提出了一种相幅双闭环温补控制方法。测试结果表明：调制结构在0～40℃的变温范围内振幅波动约为0.01%/℃

远低于补偿前的0.19%/℃

稳定性提升约19倍。

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