单片集成MEMS三轴磁场传感器

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单片集成MEMS三轴磁场传感器

设计与制造 | 更新时间：2025-09-11

- 单片集成MEMS三轴磁场传感器
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2022年第11期页码：65-68
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  2. 中国科学院大学
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（515777186）
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)11-0065-04
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2022
- 稿件说明：
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付春末, 熊斌, 陆仲明, 等. 单片集成MEMS三轴磁场传感器[J]. 传感器与微系统, 2022,(11):65-68.
付春末, 熊斌, 陆仲明, 等. 单片集成MEMS三轴磁场传感器[J]. 传感器与微系统, 2022,(11):65-68. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)11-0065-04.

DOI：

利用微机电系统(MEMS)工艺，设计并制造了一种基于法拉第电磁感应定律的单片集成MEMS三轴磁场传感器。将两种不同结构的器件通过MEMS工艺集成到单一芯片上，完成单片集成MEMS三轴磁场传感器的制作。测试结果表明：在大气环境下，2S梁耦合器件对Z轴磁场的开环灵敏度为7.435μV/mT

非线性度为0.436%。当其用于Z轴磁场测量时，其对于X轴磁场的交叉轴抑制比γ

为49.749 dB

对Y轴磁场的交叉轴抑制比γ

为46.324 dB;在大气环境下，扭转框结构器件对X轴磁场的开环灵敏度为2.223μV/mT

非线性度为0.49%。当其用于X轴磁场测量时，其对于Z轴的交叉轴抑制比γ

为44.687 dB

对Y轴磁场的交叉轴抑制比γ

为41.138 dB。

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