GaN HEMT射频等效电路建模研究

李超; 王军

doi:10.13873/J.1000-9787(2022)07-0040-04

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

GaN HEMT射频等效电路建模研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- GaN HEMT射频等效电路建模研究
- GaN HEMT射频等效电路建模研究
- 传感器与微系统 2022年第7期页码：40-43
- 作者机构：
  
  西南科技大学信息工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)07-0040-04
  中图分类号： TN386
- 纸质出版：2022
- 稿件说明：
移动端阅览
李超, 王军. GaN HEMT射频等效电路建模研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(7):40-43.

GaN HEMT射频等效电路建模研究[J]. 2022, (7): 40-43.
李超, 王军. GaN HEMT射频等效电路建模研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(7):40-43. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)07-0040-04.

GaN HEMT射频等效电路建模研究[J]. 2022, (7): 40-43. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)07-0040-04.

摘要

为了研究GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的射频特性，研究了GaN HEMT电路模型建模方法。综合分析了GaN HEMT器件的物理结构、非线性电容、陷阱效应、自热效应及噪声等特性，提出了一种GaN HEMT射频大信号等效电路模型拓扑。完成了直流及散射参数的拟合，建立Ids方程，通过仿真工具软件ADS2016的仿真结果与实测的10μm×90μm GaN HEMT功率器件的数据对比，验证了所建模型的有效性和准确性。

Abstract

关键词

Keywords

references

Large Signal Statistical Model Oriented Parameter Extraction Method for GaN High Electron Mobility Transistors [J]. YU Xuming,XU Yuehang,WEN Zhang,CHEN Zhikai,HONG Wei. Chinese Journal of Electronics . 2017(06)

Pole-Zero Approach to Analyze and Model the Kink in Gain-Frequency Plot of GaN HEMTs [J] . Aamir Ahsan Sheikh,Ghosh Sudip,Khandelwal Sourabh,Chauhan Yogesh Singh. IEEE Microwave and Wireless Components Letters . 2017 (3)

Surface-Potential-Based Compact Modeling of Gate Current in AlGaN/GaN HEMTs [J] . Ghosh, Sudip,Dasgupta, Avirup,Khandelwal, Sourabh,Agnihotri, Shantanu,Chauhan, Yogesh Singh. IEEE Transactions on Electron Devices . 2015 (2)

Analytical Modeling of Surface-Potential and Intrinsic Charges in AlGaN/GaN HEMT Devices [J] . Khandelwal, S.,Chauhan, Y. S.,Fjeldly, T. A.. IEEE Transactions on Electron Devices . 2012 (10)

An Improved Small-Signal Parameter-Extraction Algorithm for GaN HEMT Devices [J] . Brady R. G.,Oxley C. H.,Brazil T. J.. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2008 (7)

浏览量

191

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据