国防科技大学智能科学学院 2. 湖南省MEMS工程技术研究中心
纸质出版:2022
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肖斌, 邝云斌, 虢晓双, 等. Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(7):21-24.
Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究[J]. 2022, (7): 21-24.
肖斌, 邝云斌, 虢晓双, 等. Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(7):21-24. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2022)07-0021-04.
Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究[J]. 2022, (7): 21-24. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2022)07-0021-04.
针对微机电系统(MEMS)器件在实际应用中出现的真空封装可靠性低的问题,进行了Au-Al共晶键合实验研究。重点研究了键合金属层的厚度、键合温度和作为键合区域的密封圈的结构对键合样品性能的影响,同时借助3D超景深测量显微镜对Au-Al共晶键合样品界面的微观结构进行了分析。结果表明:当键合温度为300℃
Au层厚度为600 nm
Al层厚度为200 nm
采用宽度为50μm的密封圈,此时键合样品的综合性能最好,力学性能达到最佳。
针对微机电系统(MEMS)器件在实际应用中出现的真空封装可靠性低的问题,进行了Au-Al共晶键合实验研究。重点研究了键合金属层的厚度、键合温度和作为键合区域的密封圈的结构对键合样品性能的影响,同时借助3D超景深测量显微镜对Au-Al共晶键合样品界面的微观结构进行了分析。结果表明:当键合温度为300℃
Au层厚度为600 nm
Al层厚度为200 nm
采用宽度为50μm的密封圈,此时键合样品的综合性能最好,力学性能达到最佳。
Au-Al键合系统失效机理及金层厚度对失效模式的影响研究 [J]. 胡会能,吴廉亿,雷祖圣. 宇航材料工艺 . 1993(01)
半导体器件可靠性物理[M]. 科学出版社 , 高光渤, 1987
Wafer-Level Vacuum Packaging Enabled by Plastic Deformation and Low-Temperature Welding of Copper Sealing Rings With a Small Footprint [J] . Wang Xiaojing,Bleiker Simon J.,Antelius Mikael,Stemme Goran,Niklaus Frank. Journal of Microelectromechanical Systems . 2017 (2)
Development of wafer-level-packaging technology for simultaneous sealing of accelerometer and gyroscope under different pressures [J] . T Aono,K Suzuki,M Kanamaru,R Okada,D Maeda,M Hayashi,Y Isono. Journal of Micromechanics and Microengineering . 2016 (10)
Reliability Assessment of Wafer Level Packages With Novel FeNi Under Bump Metallization [J] . Chi Ming Lai,Donglun Yang,Fei Xiao,Jia Xi,Jun Wang,Li Zhang,Mao Ru,Xinduo Zhai. Journal of Electronic Packaging . 2015 (3)
Low-Temperature Wafer Bonding Using Solid-Liquid Inter-Diffusion Mechanism [J] . Froemel, Joerg,Baum, Mario,Wiemer, Maik,Gessner, Thomas. Journal of Microelectromechanical Systems: A Joint IEEE and ASME Publication on Microstructures, Microactuators, Microsensors, and Microsystems . 2015 (6)
A study on effect of wafer bow in wafer-level BCB cap transfer packaging [J] . Seonho Seok,Janggil Kim. Microsystem Technologies . 2014 (2)
Wire-Bond Void Formation During High Temperature Aging [J] . Hen So Chang,Ker Chang Hsieh,Theo Martens,Albert Yang. IEEE Transactions on Components Packaging and Manufacturing Technology . 2004 (1)
Thermal reliability of gold–aluminum bonds encapsulated in bi-phenyl epoxy resin [J] . Tomohiro Uno,Kohei Tatsumi. Microelectronics Reliability . 2000 (1)
Intermetallic formation in gold-aluminum systems [J] . Philofsky Elliott. Solid-State Electronics . 1970 (10)
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