陕西理工大学机械工程学院
纸质出版:2022
移动端阅览
杨雨君, 王鹏, 陈曼龙, 等. 高g值压阻式加速度传感器仿真设计[J]. 传感器与微系统, 2022,(6):78-81+85.
高g值压阻式加速度传感器仿真设计[J]. 2022, (6): 78-81+85.
杨雨君, 王鹏, 陈曼龙, 等. 高g值压阻式加速度传感器仿真设计[J]. 传感器与微系统, 2022,(6):78-81+85. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2022)06-0078-04.
高g值压阻式加速度传感器仿真设计[J]. 2022, (6): 78-81+85. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2022)06-0078-04.
利用硅微材料的压阻效应,结合微机电系统(MEMS)加工技术,设计一种高g值压阻式加速度传感器结构,主要应用于爆炸、冲击测试以及引信侵彻等特殊领域。采用参数分析,确定了传感器的三维模型,提取敏感梁的表面路径,分析总结其应力分布规律,据此确定压敏电阻位置,并设计能单独测量且抗交叉干扰的测量电路。最后通过有限元对传感器敏感结构进行仿真分析,仿真结果表明:该加速度计水平面内其X方向灵敏度为4.37μV/g
n
Y方向灵敏度为4.44μV/g
n
一阶固有频率为105.80 kHz
量程可达到15×10~4g
n
。
利用硅微材料的压阻效应,结合微机电系统(MEMS)加工技术,设计一种高g值压阻式加速度传感器结构,主要应用于爆炸、冲击测试以及引信侵彻等特殊领域。采用参数分析,确定了传感器的三维模型,提取敏感梁的表面路径,分析总结其应力分布规律,据此确定压敏电阻位置,并设计能单独测量且抗交叉干扰的测量电路。最后通过有限元对传感器敏感结构进行仿真分析,仿真结果表明:该加速度计水平面内其X方向灵敏度为4.37μV/g
n
Y方向灵敏度为4.44μV/g
n
一阶固有频率为105.80 kHz
量程可达到15×10~4g
n
。
高量程加速度传感器的结构优化与仿真分析 [J]. 韩文曼,郭涛. 传感器与微系统 . 2021(01)
正交十角环式切削力传感器设计与仿真分析 [J]. 王鹏,赵瑞杰,王楠,杜宇波,杨帆,杨利涛. 传感技术学报 . 2020(08)
低侧向效应MEMS压阻式加速度传感器 [J]. 王鹏,杨帆,王楠,王明武,梁应选. 仪表技术与传感器 . 2020(01)
高g值压阻加速度计动态特性与阻尼的关系研究 [J]. 刘爱莉,范锦彪,张茹开,王永芳. 传感技术学报 . 2012(09)
MEMS面内大量程加速度传感器设计与分析 [J]. 赵锐,石云波,唐军,刘俊. 传感技术学报 . 2011(08)
SOI特种高g值MEMS加速度计设计与分析 [J]. 许高斌,汪祖民,陈兴. 电子测量与仪器学报 . 2010(06)
传感器固有频率和阻尼对冲击加速度检测的影响 [J]. 王钻开,陆德仁. 功能材料与器件学报 . 2003(02)
MEMS高g值加速度传感器的结构分析与电路设计 [D]. 张华. 北京理工大学 2017
高g值抗冲击加速度敏感芯片设计 [D]. 刘升阳. 沈阳工业大学 2017
压阻式加速度传感器的设计与仿真 [D]. 赵源. 电子科技大学 2015
FAST反射面索网支承结构设计与施工研究 [M]. 东南大学出版社 , 罗斌, 2016
MEMS accelerometers for mechanical vibrations analysis: a comprehensive review with applications [J] . Varanis Marcus,Silva Anderson,Mereles Arthur,Pederiva Robson. Journal of the Brazilian Society of Mechanical Sciences and Engineering . 2018 (11)
Summary of Research Status and Application of MEMS Accelerometers [J] . Niu Weimeng,Fang Liqing,Xu Lei,Li Xu,Huo Ruikun,Guo Deqing,Qi Ziyuan. Journal of Computer and Communications . 2018 (12)
Piezoresistive Acceleration Sensor with High Sensitivity and High Responsiveness [J] . Shintaro Kurokami,Zulfakri bin Mohamad,You Yin,Sumio Hosaka,Takahiro Fuju,Yoshiharu Sueyoshi,Haruki Okano. Key Engineering Materials . 2013 (534-)
Fabrication and characterization of high g -force, silicon piezoresistive accelerometers [J] . Yuebin Ning,Yan Loke,Graham McKinnon. Sensors & Actuators: A. Physical . 1995 (1)
0
浏览量
558
下载量
5
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构
京公网安备11010802024621