WS2量子点负载In2O3气体传感器制备和气敏特性研究

朱东霞; 李君; 刘帅伟; 李廷鱼

doi:10.13873/J.1000-9787(2022)06-0010-04

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WS₂量子点负载In₂O₃气体传感器制备和气敏特性研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- WS₂量子点负载In₂O₃气体传感器制备和气敏特性研究
- WS₂量子点负载In₂O₃气体传感器制备和气敏特性研究
- 传感器与微系统 2022年第6期页码：10-13+17
- 作者机构：
  
  山西职业技术学院机电工程系 2. 太原理工大学信息与计算机学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)06-0010-04
  中图分类号： X851;TP212
- 纸质出版：2022
- 稿件说明：
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朱东霞, 李君, 刘帅伟, 等. WS₂量子点负载In₂O₃气体传感器制备和气敏特性研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(6):10-13+17.

WS₂量子点负载In₂O₃气体传感器制备和气敏特性研究[J]. 2022, (6): 10-13+17.
朱东霞, 李君, 刘帅伟, 等. WS₂量子点负载In₂O₃气体传感器制备和气敏特性研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(6):10-13+17. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)06-0010-04.

WS₂量子点负载In₂O₃气体传感器制备和气敏特性研究[J]. 2022, (6): 10-13+17. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)06-0010-04.

摘要

利用液相超声法制备了硫化钨（WS

）量子点，并将其负载于中空微管状氧化铟（In

）结构。采用扫描电子显微镜（SEM）对制备的材料表面形貌进行了表征，结果表明：WS

量子点负载于In

表面。同时，制备出纯In

、WS

量子点修饰In

（WS

@In

）两种气体传感器，在室温下研究了其对NO

的气敏性能。气敏特性实验表明：WS

量子点的修饰能够显著提升In

对NO

的气敏性能，当检测NO

体积分数为50×10

-6

时，摩尔分数为3%WS

@In

在室温下的响应高达722.30

是相同条件下In

（195.72）的7.39倍；同时，WS

量子点的修饰大幅度缩短了In

传感器的响应恢复时间。此外，所制备的传感器在选择性、重复性、长期稳定性方面皆表现出良好的性能。

Abstract

利用液相超声法制备了硫化钨（WS

）量子点，并将其负载于中空微管状氧化铟（In

）结构。采用扫描电子显微镜（SEM）对制备的材料表面形貌进行了表征，结果表明：WS

量子点负载于In

表面。同时，制备出纯In

、WS

量子点修饰In

（WS

@In

）两种气体传感器，在室温下研究了其对NO

的气敏性能。气敏特性实验表明：WS

量子点的修饰能够显著提升In

对NO

的气敏性能，当检测NO

体积分数为50×10

-6

时，摩尔分数为3%WS

@In

在室温下的响应高达722.30

是相同条件下In

（195.72）的7.39倍；同时，WS

量子点的修饰大幅度缩短了In

传感器的响应恢复时间。此外，所制备的传感器在选择性、重复性、长期稳定性方面皆表现出良好的性能。

关键词

Keywords

references

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