SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究

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SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究
- SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究
- 传感器与微系统 2022年第3期页码：66-67+75
- 作者机构：
  
  中国电子科技集团公司第四十九研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)03-0066-02
  中图分类号： TN40
- 纸质出版：2022
- 稿件说明：
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吴佐飞, 齐虹, 张岩, 等. SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(3):66-67+75.

SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究[J]. 2022, (3): 66-67+75.
吴佐飞, 齐虹, 张岩, 等. SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(3):66-67+75. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)03-0066-02.

SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究[J]. 2022, (3): 66-67+75. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)03-0066-02.

针对微机电系统（MEMS）绝缘体上硅（SOI）压力敏感芯片电阻条刻蚀过程中易损伤的问题，对敏感电阻条的刻蚀工艺进行优化设计，通过调整平板功率、气体流量比例等参数，最终找出最优的工艺参数，减少等离子体对敏感电阻条的侧向损伤，从而提高SOI压力敏感芯片的稳定性。

MEMS SOI高温压力传感器芯片 [J]. 郭玉刚,饶浩,陶茂军,田雷,吴佐飞. 传感器与微系统 . 2018(11)

基于SOI岛膜结构的高温压力传感器 [J]. 杨娇燕,梁庭,李鑫,李旺旺,林立娜,李奇思,赵丹,雷程,熊继军. 微纳电子技术 . 2018(09)

梳齿型深硅刻蚀工艺研究 [J]. 张旭,张迪雅. 仪表技术与传感器 . 2018(02)

无引线封装高温压力传感器 [J]. 田雷,尹延昭,苗欣,吴佐飞. 半导体技术 . 2014(12)

Notching效应在MEMS单步干法制造工艺中的应用（英文） [J]. 谢建兵,苑伟政,常洪龙. 纳米技术与精密工程 . 2010(02)

ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响 [J]. 樊中朝,余金中,陈少武,杨笛,严清峰,王良臣. 半导体学报 . 2004(11)

高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器及制造方法 [P]. 田雷,金建东,齐虹,于海超,尹延昭,李海博,王永刚,付博,寇文兵,王江. 中国专利:CN101349602,

微纳米加工技术及其应用[M]. 高等教育出版社 , 崔铮, 2009

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