MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究

刘福民; 杨静; 梁德春; 吴浩越; 马骁; 王学锋

doi:10.13873/J.1000-9787(2022)03-0058-04

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MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
- MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
- 传感器与微系统 2022年第3期页码：58-61
- 作者机构：
  
  北京航天控制仪器研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)03-0058-04
  中图分类号： TH-39;TN405
- 纸质出版：2022
- 稿件说明：
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刘福民, 杨静, 梁德春, 等. MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(3):58-61.

MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究[J]. 2022, (3): 58-61.
刘福民, 杨静, 梁德春, 等. MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究[J]. 传感器与微系统, 2022,(3):58-61. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)03-0058-04.

MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究[J]. 2022, (3): 58-61. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2022)03-0058-04.

摘要

微机电系统（MEMS）器件用预埋腔体绝缘体上硅（Cavity-SOI）直接键合制备过程中，预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅（SOI）晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究，分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系，用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响。结果表明：衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时，Cavity-SOI片的键合质量最好。

Abstract

关键词

Keywords

references

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