钛铌酸锶膜光敏传感元件的制备与特性分析

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钛铌酸锶膜光敏传感元件的制备与特性分析

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 钛铌酸锶膜光敏传感元件的制备与特性分析
- Preparation and characteristic analysis of photosensitive sensing element with SrNb_xTi_1-xO₃ film
- 传感器与微系统 2019年第8期页码：15-17+24
- 作者机构：
  
  华南理工大学电子与信息学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2019)08-0015-03
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2019
- 稿件说明：
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廖荣, 刘慧君, 柯嘉聪, 等. 钛铌酸锶膜光敏传感元件的制备与特性分析[J]. 传感器与微系统, 2019,(8):15-17+24.

LIAO Rong, LIU Huijun, KE Jiacong, et al. Preparation and characteristic analysis of photosensitive sensing element with SrNb_xTi_1-xO₃ film[J]. 2019, (8): 15-17+24.
廖荣, 刘慧君, 柯嘉聪, 等. 钛铌酸锶膜光敏传感元件的制备与特性分析[J]. 传感器与微系统, 2019,(8):15-17+24. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2019)08-0015-03.

LIAO Rong, LIU Huijun, KE Jiacong, et al. Preparation and characteristic analysis of photosensitive sensing element with SrNb_xTi_1-xO₃ film[J]. 2019, (8): 15-17+24. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2019)08-0015-03.

利用镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛铌酸锶(Sr NbxTi1-xO3)薄膜

然后制备成平面型薄膜光敏传感器。对钛铌酸锶薄膜的吸收光谱进行测定

得到其禁带宽度为2. 70 e V

对可见光有良好的敏感性。样品在稳定光照下

光电流随照度的增大而增大;温度对光敏特性影响很大

本传感器适用于稳定光照和室温下使用。

A layer of SrNb

1-x

thin film is prepared on the silicon-based passing dry-oxygen oxidation by using coating technology and silicon planar process

and photosensitive sensor with planar thin film is prepared.Absorption spectrum of SrNb

1-x

thin film is determinated

the obtained forbidden bandwidth is 2. 70 e V and it has good sensibility to visible light. When placing the sample in stable illumination

light current enlarges along with enlargement of illumination; temperature has great influence on photosensitive characteristic

so this sensor is appropriate to use in stable illumination at room temperature.

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