硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法

郭玉刚; 吴佐飞; 田雷

doi:10.13873/J.1000-9787(2019)03-0025-03

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硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法
- Convex corner compensation method of anisotropic etching in （100） crystal surface of silicon
- 传感器与微系统 2019年第3期页码：25-27
- 作者机构：
  
  1. 中国航发控制系统研究所
  2. 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2019)03-0025-03
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2019
- 稿件说明：
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郭玉刚, 吴佐飞, 田雷. 硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法[J]. 传感器与微系统, 2019,(3):25-27.

GUO Yu-gang, WU Zuo-fei, TIAN Lei. Convex corner compensation method of anisotropic etching in （100） crystal surface of silicon[J]. 2019, (3): 25-27.
郭玉刚, 吴佐飞, 田雷. 硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法[J]. 传感器与微系统, 2019,(3):25-27. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2019)03-0025-03.

GUO Yu-gang, WU Zuo-fei, TIAN Lei. Convex corner compensation method of anisotropic etching in （100） crystal surface of silicon[J]. 2019, (3): 25-27. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2019)03-0025-03.

摘要

针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题

进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构

对长方形凸台进行补偿

最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计。

Abstract

A convex corner compensation experiment of anisotropic etching in（ 100） crystal surface of silicon is proposed. The rectangle boss is compensated by〈110〉strips with different dimension and shape

and finally the expected compensation structure is obtained. The compensation method is used for design of overload protection structure in pressure sensor.

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