河南理工大学电气工程与自动化学院
纸质出版:2017
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[1]苏大体,孙岩洲,杨慧彬.忆阻值的影响参数分析[J].传感器与微系统,2017,36(12):43-45+49.
SU Da-ti, SUN Yan-zhou, YANG Hui-bin. Analysis on influence parameter of memristance[J]. 2017, 36(12): 43-45+49.
[1]苏大体,孙岩洲,杨慧彬.忆阻值的影响参数分析[J].传感器与微系统,2017,36(12):43-45+49. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2017)12-0043-03.
SU Da-ti, SUN Yan-zhou, YANG Hui-bin. Analysis on influence parameter of memristance[J]. 2017, 36(12): 43-45+49. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2017)12-0043-03.
为了分析参数对忆阻器忆阻值的影响
通过搭建忆阻器的Matlab仿真模型
运用控制变量法
分别设置外加激励幅值为1
2 V
电压频率为1
2 Hz
忆阻器横截面积为10
25μm
2
忆阻器长度为10
20 nm
对不同条件不同参数的忆阻器模型进行了大量仿真分析。计算各伏安特性曲线和忆阻值的具体变化范围
通过对仿真数据的统一比较分析得出了不同情况下忆阻值的变化规律。
In order to analyze on influence of parameters on memristor
by building Matlab simulation model for memristor
by using control variable method
separately set extrinsic motivation voltage amplitude to 1 V and 2 V;voltage frequency is 1 Hz and 2 Hz; cross section area of the memristor is 10 μm
2
and 25 μm
2
; length of the memristor is 10 nm and 20 nm
a lot of simulation and analysis are carried out on the model of the memristor under different conditions and parameters. Calculate volt-ampere characteristic curves of memristor and specific variation range of memristance
and by comparing and analyzing on simulation data
changing rules of the memristance under different conditions is obtained.
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