碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究

刘雨涛; 梁庭; 王涛龙; 王心心; 张瑞; 熊继军

doi:10.13873/J.1000-9787(2016)02-0046-03

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碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究
- Study on ICP shallow etching process of SiC thin film
- 传感器与微系统 2016年35卷第2期页码：46-48+51
- 作者机构：
  
  1. 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
  2. 中北大学电子测试技术国防科技重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家杰出青年科学基金资助项目（51425505）
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2016)02-0046-03
  中图分类号： TN305.7
- 纸质出版：2016
- 稿件说明：
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[1]刘雨涛,梁庭,王涛龙,王心心,张瑞,熊继军.碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究[J].传感器与微系统,2016,35(02):46-48+51.

LIU Yu-tao, LIANG Ting, WANG Tao-long, et al. Study on ICP shallow etching process of SiC thin film[J]. 2016, 35(2): 46-48+51.
[1]刘雨涛,梁庭,王涛龙,王心心,张瑞,熊继军.碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究[J].传感器与微系统,2016,35(02):46-48+51. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2016)02-0046-03.

LIU Yu-tao, LIANG Ting, WANG Tao-long, et al. Study on ICP shallow etching process of SiC thin film[J]. 2016, 35(2): 46-48+51. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2016)02-0046-03.

摘要

选用SF6/O2混合气体对等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法制备的碳化硅（Si C）薄膜进行了浅槽刻蚀

并通过正交试验设计方法

研究了感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术中反应室压强、偏压射频（BRF）功率、O2比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响及其显著性。实验结果表明:BRF功率对于刻蚀速率的影响具有高度显著性

各因素对刻蚀速率的影响程度依次为BRF功率>反应室压强>O2比例

并讨论了所选因素对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响机理。

Abstract

SF6/ O2 gas mixture is selected to etch Si C films shallowly that are prepared by PECVD method and influence and significance of the inductively coupled plasma（ ICP） etching process parameters including reaction chamber pressure

bias RF（ BRF） power

O2 flow ratio are investigated by the orthogonal experiment design method. Experimental results show that influence of BRF power on etching rate is highly significant

influence degree sequence of each factor on etching rate of Si C films presents as BRF power

reaction chamber pressure

O2 flow ratio and discuss influence principle of different factors on etching rate of Si C films.

关键词

Keywords

references

PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究 [J]. 张瑞丽,杜红文,张亚萍,杜平凡,问明亮,张秀芳,席珍强. 浙江理工大学学报 . 2010(02)

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