多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究

刘晓为; 李金锋; 揣荣岩; 施长治; 陆学斌; 吴娅静

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多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究
- Experiment study on electrical properties of poly-silicon nanofilms
- 传感器与微系统 2008年第8期页码：45-47
- 作者机构：
  
  1. 哈尔滨工业大学MEMS中心
  2. 沈阳工业大学信息科学与工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（60776049）
- DOI：
  中图分类号： TB383.2
- 纸质出版：2008
- 稿件说明：
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[1]刘晓为,李金锋,揣荣岩,施长治,陆学斌,吴娅静.多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究[J].传感器与微系统,2008(08):45-47.

LIU Xiao-wei1, LI Jin-feng1, CHUAI Rong-yan1, et al. Experiment study on electrical properties of poly-silicon nanofilms[J]. 2008, (8): 45-47.
[1]刘晓为,李金锋,揣荣岩,施长治,陆学斌,吴娅静.多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究[J].传感器与微系统,2008(08):45-47. DOI：

LIU Xiao-wei1, LI Jin-feng1, CHUAI Rong-yan1, et al. Experiment study on electrical properties of poly-silicon nanofilms[J]. 2008, (8): 45-47. DOI：

摘要

用低压化学气相淀积（LPCVD）法淀积了膜厚为60～250nm的多晶硅纳米薄膜

研究了膜厚和掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学特性的影响。结合扫描电镜（SEM）图片

在电阻率与电阻率温度系数测试结果的基础上

分析了膜厚和掺杂浓度对薄膜电学特性的影响。结果表明:重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的温度特性

电阻率温度系数可达到1×10-4～3×10-4/℃的水平。

Abstract

The polysilicon nano-films with thicknesses from 60

50nm are deposited by LPCVD to investigate the influence of thickness and doping concentration on the electrical properties of polysilicon nano-films.Combined with the SEM pictures of the films

the influence is analyzed theoretically based on the tested results of resistivity and temperature coefficient of resistivity.The results indicate that the heavy doped polysilicon nanofilms have better temperature characteristics

and their temperature coefficient of resistivity has a low value at 1×10-4

×10-4/℃.

关键词

Keywords

references

掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响 [J]. 揣荣岩,刘晓为,霍明学,宋明浩,王喜莲,潘慧艳. 半导体学报 . 2006(07)

不同淀积温度多晶硅纳米薄膜的压阻特性 [J]. 揣荣岩,刘晓为,潘慧艳,王蔚,张颍. 传感技术学报 . 2006(05)

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