采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Ｓｎ膜形成过程的影响，得到了射频溅射制备Ｓｎ膜新工艺的最佳条件。Ｘ－射线衍射及ＳＥＭ实验结果表明在该工艺条件下得到的Ｓｎ膜为非常细小均匀的β－Ｓｎ的晶体结构。