研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄｍ－３３，响应速度≤５ｓ．本工作以非晶态半导体的Ｍｏｔｔ－Ｄａｖｉｓ能带模型结合表面吸附理论，初步探讨了该材料的气敏机理，确立了元件阻值Ｒ与吸附浓度Ｃ的关系方程，以此解释元件的气敏特性．该方程对非晶态ＳｉＯ２掺杂薄膜是普遍适用的。