多弧离子淀积TiO<sub>2</sub>气敏薄膜材料

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多弧离子淀积TiO₂气敏薄膜材料

更新时间：2025-09-11

- 多弧离子淀积TiO₂气敏薄膜材料
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- 传感器与微系统 1996年第2期页码：11
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  中图分类号： TP21
- 纸质出版：1996
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多弧离子淀积TiO₂气敏薄膜材料[J]. 传感器与微系统, 1996,(2):11.
多弧离子淀积TiO₂气敏薄膜材料[J]. 传感器与微系统, 1996,(2):11. DOI：

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摘要

介绍了采用多弧离子镀设备．在玻璃基片上沉积ＴｉＯ２薄膜材料的制备技术。掺杂方法简单实用．采用ＳＥＭ、ＸＲＤ等对薄膜的结构和成分进行了观察和分析，用方形四点探针法测量了薄膜的电导率并对薄膜的气敏性能进行了初步研究。结果表明，ＴｉＯ２膜的组织致密，主要为金红石相结构．ＴｉＯ２薄膜在３００℃下对Ｏ２有较好的选择性．

Abstract

关键词

Keywords

references

吴一平，乔学亮，陈建国，赵建生，孙培祯.多弧离子沉积（Ti，AI）N薄膜的制备工艺[J].兵器材料科学与工程,1995(05).

李世普主编.特种陶瓷工艺学[M].武汉工业大学出版社,1990.

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