半导体薄膜开始用于力敏器件，评价薄膜自身的压阻特性是十分重要的。但迄今报导的参数，通常是薄膜与基片粘附成一体的复合样品测量值，原因在于膜薄难剥，剥离之后测量也不易。建立等效模型，提出新的计算式，以便在基片淀积膜之前和之后，只作常规ε、Ｅ等测量，通过计算就可得到纯薄膜的压阻特性各参数，包括Ｋ、Ｋ、π、π。